Ефект холла в напівпровідниках

Сукупна дія магнітного і електричного полів істотно ускладнює картину руху носіїв струму в провідних тілах порівняно з дією лише електричного поля. Якщо в другому випадку має місце їх направлений рух — дрейф — з швидкістю, пропорційною , то в першому випадку на дрейфовий рух накладається рух під дією сили Лоренца. У цьому випадку виникають гальваномагнітні […]

Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації

При відсутності зовнішніх полів носії струму в тілах, які проводять струм, перебувають лише в тепловому русі Якщо ж зразок провідного тіла розмістити в зовнішньому полі Е, то характер руху носіїв зміниться, поряд з тепловим рухом виникне направлений рух позитивних зарядів поля і негативних зарядів — проти напрямку поля. Таке переміщення електричних зарядів під дією електричного […]

Рентгеноспектральний аналіз

Основними напрямками рентгенівської спектроскопії є визначення вмісту елементів в різних речовинах (рентгеноспектральний аналіз) та дослідження розподілу густини електронних станів за енергіями в твердому тілі (дослідження тонкої структури рентгенівських спектрів). Можливість проведення рентгеноспектрального аналізу випливає із закону Мозлі. Сутність цього закону полягає в тому, що квадратний корінь із числових значень термів для ліній спектрів випускання або […]

Біполярний транзистор

Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, який має два р n — переходи. Схематично будову такого транзистора показано на рис. 8-6 1. Рис. 8-6 1. Виготовляються транзистори із пластинок кремнію або германію, в яких створюються шляхом напилення три області з різною електро­провідністю. Тип провідності центральної зони, яка називається базою, відмінний від типу провідності крайніх областей, які […]

Провідність напівпровідникових діодів

Напівпровідникові діоди — прилади, які мають односторонню провідність. Вона зумовлюється властивостями запірного шару на межі двох напівпровідників, один з яких має електронну провідність, а другий — діркову Виготовляють германієві, селенові, купроксні та кремнієві діоди. Германієвий діод типу Д302 в одному (прямому) напрямі при падінні напруги на ньому 0,25 В пропускає струм до 1 А, а […]

Вольт — амперна характеристика тунельного діода

При великих (1019…1021 см-3) концентраціях носіїв заряду, що досягається при великих концентраціях домішок, електрони в напівпровідниках n – типу і дірки в напівпровідниках р – типу утворюють вироджений електронний і дірковий газ. Рівень Фермі ЕF в першому випадку знаходиться в зоні провідності, а в другому випадку — в валентній зоні. Тунельний діод створений на основі […]

Напівпровідниковий діод. p-n перехід

Елекгронно-дірковий (або р-п) перехід виникає при контакті напівпровідників з різним типом провідності, який здійснюється їх сплавленням, іонною імплантацією або іншими технологічними прийомами. У напівпровідникові р-типу основні носії струму — електрони, концентрація яких n. У результаті теплової генерації в ньому існують також неосновні носії заряду — дірки, концентрація яких рn, причому n>>рn. У напівпровідникові р — […]

Фотоелектричні явища в напівпровідниках та характеристики напівпровідникового фотоелемента

Суттєва різниця електронного спектра металів і напівпровідників, що описана раніше, визначає специфіку поглинання світла напівпровідниками. Розглянемо власний напівпровідник з шириною забороненої зони Eg, енергетична діаграма якого показана на рис. 8-3 1. Рис. 8-3 1