Більшість методів вимірювання питомого заряду електрона заснована на властивостях руху частинки в електричному і магнітному полях. Задовільні, порівняно з іншими методами, результати дає дослідження критичних випадків дії електричного і магнітного полів, які реалізуються в магнетроні.
Суть цього методу полягає у тому, що двоелектродну електронну лампу, електроди якої є коаксіальними циліндрами, розміщують у середній частині соленоїда так, що вісь лампи співпадає з віссю соленоїда. При відсутності магнітного поля в соленоїді електрони під дією електричного поля, прикладеного між катодом і анодом, рухаються вздовж радіальних прямих. При наявності електричного струму в обмотці соленоїда в електронній лампі виникне магнітне поле, силові лінії якого направлені паралельно осі лампи, а на електрони почне діяти сила Лоренца:
(1)
де е — заряд електрона, рівний 1,6×10-19 Кл;
— швидкість руху електрона;
— індукція магнітного поля.
При дії цієї сили, направленої в кожний момент часу перпендикулярно вектору швидкості, траєкторія електронів стає криволінійною.
Розглянемо дещо детальніше рух електронів в електронній лампі магнетрона. Для пояснення цього руху скористаємося циліндричною системою координат (рис. 6-5 1), в якій положення електрона визначається віддаллю його від осі лампи r, полярним кругом j і зміщення вздовж осі Z (напрямлена вздовж осі лампи).
Електричне поле, яке має лише радіальну компоненту, діє на електрон з силою, яка напрямлена по радіусу від катода до анода. Магнітна сила, яка діє на електрон з боку магнітного поля, не має складової вздовж осі Z. Тому електрон, який вилітає з катода без початкової швидкості (початкові швидкості електронів, які визначаються температурою катода, набагато менші швидкостей, набутих за рахунок електричного поля лампи), рухається в площині, перпендикулярній осі Z. Момент імпульсу Lz електрона відносно осі Z.
(2)
Рис. 6-5 1.
де — складова швидкості, перпендикулярна радіусу r.
Момент М сил, діючих на електрон, відносно осі Z визначається тільки складовою магнітної сили (сили Лоренца), перпендикулярної r. Електрична сила і складова магнітної сили, напрямлені вздовж радіуса r, моменту відносно осі Z не створюють. Тому
(3)
де — радіальна складова швидкості електрона.
Згідно з рівнянням динаміки обертального руху:
(4)
Проектуючи (4) на вісь Z, одержимо:
або
(5)
Інтегруючи вираз (5), одержимо:
Константу знайдемо із початкових умов: при r = rK (г — радіус катода) Vj=0. Тоді
і
(6)
Кінетична енергія електрона дорівнює роботі сил електростатичного поля:
(7)
де U — різниця потенціалів між катодом і точкою поля, в якій знаходиться електрон.
Підставляючи в (7) значення Vj із (6), одержимо:
(8)
При деякому значенні індукдії магнітного поля Вкр, яке називають критичним, швидкість електрона поблизу анода стає перпендикулярною радіусу г, тобто Vr=0. Тоді рівняння (8) набуде вигляду:
де Ua — різниця потенціалів між анодом і катодом; rа — радіус анода. З останнього виразу знаходимо питомий заряд електрона:
(9)
Індукція магнітного поля соленоїда, довжина L якого співрозмірна з діаметром D, знаходиться за формулою:
(10)
де m0=4p×10-7 Гн/м — магнітна стала; n — число витків соленоїда на одиницю довжини; N=nL — загальне число витків в соленоїді.
Таким чином, визначивши експериментальне Вкр, можна за формулою (9) розрахувати величину е/m. Для знаходження Вкр в лампі слід установити різницю потенціалів між анодом і катодом і, ввімкнувши струм в соленоїді, поступово збільшувати його, збільшуючи тим самим магнітне поле в лампі.
Якби всі електрони залишали катод з швидкістю, рівною нулю, то залежність величини анодного струму в лампі від величини індукції магнітного поля мала б вигляд, як це показано пунктирною лінією на рис. 6-5 2.
В цьому випадку при В<Вкр, всі електрони, які вилетіли з катода долетять до анода, а при В>Вкр жоден електрон не долетить до анода
В реальній лампі завжди є деяка некоаксіальність катода і анода, а також залишки газу. Крім того в соленоїді магнітне поле не е строго однорідним. Все це приводить до того, що різні електрони досягають критичних значень при різних значеннях магнітного поля В. Тому реальна залежність It^flfB) відрізняється від теоретичної (рис. 6-5 2).
Рис. 6-5 2